隨著電子產(chǎn)品不斷邁向更高程度的集成化、小型化與智能化，電子元器件正面臨功率輸出提升與熱流密度激增的雙重挑戰(zhàn)。與此同時，半導體技術(shù)的迅猛飛躍，特別是在新能源、電子信息技術(shù)及航空航天等前沿領域的持續(xù)革新，促使熱量產(chǎn)生量急劇攀升。在這一背景下，散熱性能成為了制約高功率設備進一步發(fā)展的核心瓶頸。

 金剛石憑借其高熱導率特性，并得益于化學氣相沉積（CVD）技術(shù)的顯著進步，已成為熱管理領域的明星材料。金剛石卓越的導熱能力不僅有效延長了電子元器件的使用壽命，還極大地提升了設備的整體性能與運行效率，為突破散熱難題提供了強有力的解決方案。

金剛石通過晶格振動傳熱，碳原子產(chǎn)生振動的量子能量較大，也就是振動頻率很高，因此熱導率非常高。天然單晶金剛石的室溫(25℃)熱導率可達到22 W/(cm·K)，作為對比，金屬銅的熱導率約為4 W/(cm·K)，而傳統(tǒng)的半導體材料硅的熱導率不足2 W/(cm·K)。采用CVD法人工培育的金剛石，其室溫熱導率通常也能達到10-20 W/(cm·K)。

碳方程在高端人造金剛石產(chǎn)品及MPCVD設備研發(fā)方面的顯著成果，不僅標志著半導體器件散熱技術(shù)的重大飛躍，更為高功率電子設備的性能提升與壽命延長提供了強有力的技術(shù)支持，對推動相關(guān)行業(yè)的技術(shù)進步與發(fā)展具有重要意義。