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        碳方程新材料公司在CVD長晶設備研發(fā)生產(chǎn)上形成了完善的設備及產(chǎn)品體系,并且在CVD金剛石實驗室生長工藝研發(fā)上取得了突破性的進展,以“設備+工藝”為方針,相互引導,相互依托,以規(guī)模生產(chǎn)為研發(fā)基石,共筑”MPCVD”生產(chǎn)技術(shù)藍圖。

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        帶您了解MPCVD人工培育鉆石的精細過程

        • 作者:碳方程新材料(山西)有限公司
        • 類別:公司新聞
        • 更新時間:2024-08-23 16:52:54
        • 瀏覽量:135人閱讀

        人工鉆石培育的廣闊領域中,有兩種技術(shù)路徑,一種是高溫高壓法(HPHT),另一種是微波等離子體化學氣相沉積法(MPCVD),其中MPCVD技術(shù)以其獨特的優(yōu)勢,在培育出大顆粒、高凈度鉆石方面展現(xiàn)出非凡實力,因此而更受高尖科研領域及高端珠寶青睞。

        MPCVD設備適合高品質(zhì)單晶金剛石、多晶金剛石的批量生長還廣泛應用于多種薄膜的CVD制備、材料表面處理和改性、低溫氧化物的生長等多個領域。

        以下為MPVCD法培育鉆石的精細過程:

        01 構(gòu)建純凈的環(huán)境

        將精選的鉆石晶籽置于基座上,同時降低密閉空腔內(nèi)的壓強,其次密閉腔需要全程保持真空環(huán)境,這一過程中,任何雜質(zhì)的存在都被嚴格禁止,確保鉆石生長的純凈無暇。

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        02 注入氣體

        隨著含碳氣體(如甲烷氫氣等)緩緩注入腔體,這些氣體在微波等離子體的作用下分解,形成碳原子并附著在晶籽上,這種方法適合制備面積大、均勻性好、純度高、結(jié)晶形態(tài)好的高質(zhì)量硬質(zhì)薄膜和晶體,但技術(shù)手段、環(huán)境條件、操作設備成本非常高,目前能夠熟練掌握MPCVD技術(shù)的企業(yè)鳳毛麟角,而碳方程無疑是其中的佼佼者。

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        03 精準控制生長

        在MPCVD技術(shù)的精心呵護下,每個生長參數(shù),如溫度、壓強、氣體流量、功率等被嚴格穩(wěn)定控制,確保碳原子會在晶籽上慢慢沉積,并逐漸積聚、硬化,經(jīng)過幾百個小時的精心培育,形成方形鉆石磚塊。

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        04 從原石到寶石

        當鉆石生長完成之后,打開腔體,取出鉆石塊,經(jīng)過專業(yè)的切割及打磨工藝,即可作為工業(yè)金剛石或者切割拋光成寶石級鉆石。而相較于普通的CVD技術(shù)培育出的鉆石,MPCVD鉆石以其自然的色澤與卓越的品質(zhì)贏得了市場的廣泛認可與好評。

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