TFC-50200A

碳方程50200A MPCVD設備采用915MHZ的微波頻率及50KW運行功率，該設備單爐可生產(chǎn)8英寸多晶產(chǎn)品，若用于生產(chǎn)單晶金剛石，單爐能夠穩(wěn)定產(chǎn)出多達489 片尺寸為 7*7mm的單晶金剛石，具有高可靠性、穩(wěn)定運行、無人值守的安全聯(lián)鎖性能，極大地提高了生產(chǎn)效率，此設備旨在解決大尺寸金剛石的生長、高沉積速率的難題。 了解詳情

TFC-10800D

TFC-10800D，微波等離子體化學氣相沉積（MPCVD）設備是最先進的 CVD系統(tǒng)。針對用戶的具體要求設計和研制的一臺多用途、高穩(wěn)定中等壓強微波等離子體（MPCVD）綜合設備。它具有智能化生長、性能先進、功能完善、結(jié)構(gòu)合理，使用方便、安全可靠、外形美觀等特點，特別適合應用于單晶和多晶金剛石膜、類金剛膜的化學汽相沉積；材料表面處理和改性；低溫氧化物的生長等領域。 了解詳情

TFC-10800C

TFC-10800C，微波等離子體化學氣相沉積（MPCVD）設備是最先進的 CVD系統(tǒng)。針對用戶的具體要求設計和研制的一臺多用途、高穩(wěn)定中等壓強微波等離子體（MPCVD）綜合設備。它具有智能化生長、性能先進、功能完善、結(jié)構(gòu)合理，使用方便、安全可靠、外形美觀等特點，特別適合應用于單晶和多晶金剛石膜、類金剛膜的化學汽相沉積；材料表面處理和改性；低溫氧化物的生長等領域。 了解詳情

TFC-6500B

TFC-6500B，微波等離子體化學氣相沉積（MPCVD）設備是最先進的 CVD 系統(tǒng)。針對用戶的具體要求設計和研制的一臺多用途、高穩(wěn)定中等壓強微 波等離子體（MPCVD）綜合設備。它具有智能化生長、性能先進、功能完 善、結(jié)構(gòu)合理，使用方便、安全可靠、外形美觀等特點，特別適合應用于 單晶和多晶金剛石膜、類金剛膜的化學汽相沉積；材料表面處理和改性；低溫氧化物的生長等領域。 了解詳情

TFC-6650C

TFC-6650C，微波等離子體化學氣相沉積（MPCVD）設備是最先進的 CVD 系統(tǒng)。針對用戶的具體要求設計和研制的一臺多用途、高穩(wěn)定中等壓強微波等離子體綜合設備。它具有智能化生長、性能先進、功能完 善、結(jié)構(gòu)合理，使用方便、安全可靠、外形美觀等特點，特別適合應用于單晶和多晶金剛石膜、類金剛膜的化學汽相沉積；材料表面處理和改性；低溫氧化物的生長等領域。 了解詳情

金剛石熱沉片

金剛石熱沉片是繼硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵等之后的重要半導體材料之一，可用于重要的半導體器件，在生物檢測和醫(yī)療、平板顯示、環(huán)保工程、功能器件等多個高新技術領域都有巨大的應用潛力。金剛石材料的熱導率和電學特性優(yōu)勢十分顯著，沒有任何明顯短板，其熱導率可達2000W/m.k，是銅、銀的5倍，又是良好的絕緣體，這也使得金剛石器件擁有更高的功率處理能力。 了解詳情