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        碳方程新材料公司在CVD長晶設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)上形成了完善的設(shè)備及產(chǎn)品體系,并且在CVD金剛石實驗室生長工藝研發(fā)上取得了突破性的進展,以“設(shè)備+工藝”為方針,相互引導(dǎo),相互依托,以規(guī)模生產(chǎn)為研發(fā)基石,共筑”MPCVD”生產(chǎn)技術(shù)藍圖。

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        碳方程公司產(chǎn)品

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        TFC-50200A

        TFC-50200A

        碳方程50200A MPCVD設(shè)備采用915MHZ的微波頻率及50KW運行功率,該設(shè)備單爐可生產(chǎn)8英寸多晶產(chǎn)品,若用于生產(chǎn)單晶金剛石,單爐能夠穩(wěn)定產(chǎn)出多達489 片尺寸為 7*7mm的單晶金剛石,具有高可靠性、穩(wěn)定運行、無人值守的安全聯(lián)鎖性能,極大地提高了生產(chǎn)效率,此設(shè)備旨在解決大尺寸金剛石的生長、高沉積速率的難題。 了解詳情
        TFC-10800D

        TFC-10800D

        TFC-10800D,微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)設(shè)備是最先進的 CVD系統(tǒng)。針對用戶的具體要求設(shè)計和研制的一臺多用途、高穩(wěn)定中等壓強微波等離子體(MPCVD)綜合設(shè)備。它具有智能化生長、性能先進、功能完善、結(jié)構(gòu)合理,使用方便、安全可靠、外形美觀等特點,特別適合應(yīng)用于單晶和多晶金剛石膜、類金剛膜的化學(xué)汽相沉積;材料表面處理和改性;低溫氧化物的生長等領(lǐng)域。 了解詳情
        TFC-10800C

        TFC-10800C

        TFC-10800C,微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)設(shè)備是最先進的 CVD系統(tǒng)。針對用戶的具體要求設(shè)計和研制的一臺多用途、高穩(wěn)定中等壓強微波等離子體(MPCVD)綜合設(shè)備。它具有智能化生長、性能先進、功能完善、結(jié)構(gòu)合理,使用方便、安全可靠、外形美觀等特點,特別適合應(yīng)用于單晶和多晶金剛石膜、類金剛膜的化學(xué)汽相沉積;材料表面處理和改性;低溫氧化物的生長等領(lǐng)域。 了解詳情
        TFC-6500B

        TFC-6500B

        TFC-6500B,微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)設(shè)備是最先進的 CVD 系統(tǒng)。針對用戶的具體要求設(shè)計和研制的一臺多用途、高穩(wěn)定中等壓強微 波等離子體(MPCVD)綜合設(shè)備。它具有智能化生長、性能先進、功能完 善、結(jié)構(gòu)合理,使用方便、安全可靠、外形美觀等特點,特別適合應(yīng)用于 單晶和多晶金剛石膜、類金剛膜的化學(xué)汽相沉積;材料表面處理和改性;低溫氧化物的生長等領(lǐng)域。 了解詳情
        TFC-6650C

        TFC-6650C

        TFC-6650C,微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)設(shè)備是最先進的 CVD 系統(tǒng)。針對用戶的具體要求設(shè)計和研制的一臺多用途、高穩(wěn)定中等壓強微波等離子體綜合設(shè)備。它具有智能化生長、性能先進、功能完 善、結(jié)構(gòu)合理,使用方便、安全可靠、外形美觀等特點,特別適合應(yīng)用于單晶和多晶金剛石膜、類金剛膜的化學(xué)汽相沉積;材料表面處理和改性;低溫氧化物的生長等領(lǐng)域。 了解詳情
        金剛石熱沉片

        金剛石熱沉片

        金剛石熱沉片是繼硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵等之后的重要半導(dǎo)體材料之一,可用于重要的半導(dǎo)體器件,在生物檢測和醫(yī)療、平板顯示、環(huán)保工程、功能器件等多個高新技術(shù)領(lǐng)域都有巨大的應(yīng)用潛力。金剛石材料的熱導(dǎo)率和電學(xué)特性優(yōu)勢十分顯著,沒有任何明顯短板,其熱導(dǎo)率可達2000W/m.k,是銅、銀的5倍,又是良好的絕緣體,這也使得金剛石器件擁有更高的功率處理能力。 了解詳情
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