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            碳方程新材料公司在CVD長(zhǎng)晶設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)上形成了完善的設(shè)備及產(chǎn)品體系，并且在CVD金剛石實(shí)驗(yàn)室生長(zhǎng)工藝研發(fā)上取得了突破性的進(jìn)展，以“設(shè)備+工藝”為方針，相互引導(dǎo)，相互依托，以規(guī)模生產(chǎn)為研發(fā)基石，共筑”MPCVD”生產(chǎn)技術(shù)藍(lán)圖。
            
        
              熱線電話
              服務(wù)熱線：188 3515 3014  
            
        
          
        
        
        
      
        
      
        
      
    
        
    
        
    

        
  
        
    行業(yè)新聞-碳方程-金剛石刀具-金剛石鏡片-人工培育鉆石設(shè)備-CVD合成鉆石技術(shù)
  
        


        
    

        

        


        碳方程動(dòng)態(tài)資訊-金剛石鉆石行業(yè)新聞
        

        
  
        
    
        
        
        
            
            

    
    
        
      
        微信：tfc18835153014
        

        手機(jī)：188-3515-3014
        

        郵箱：tfcxcl@126.com
        

        地址：山西省長(zhǎng)治經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)南環(huán)西街高端電氣產(chǎn)業(yè)園1號(hào)樓
        
    
        

        
        
        
        
          
          
        
               
              
        
                
                    
        鉆石：終極半導(dǎo)體與散熱革命，開啟AI與高科技新時(shí)代的鑰匙
        
                    
        
                      
        鉆石：終極半導(dǎo)體與散熱革命，開啟AI與高科技新時(shí)代的鑰匙
        
                      鉆石：“終極”半導(dǎo)體材料，“六邊形戰(zhàn)士隨著半導(dǎo)體遵循著摩爾定律納米制程進(jìn)步、TDP（熱設(shè)計(jì)功耗）上升，芯片熱流密度變得越來(lái)越高，散熱革命成為AI、HPC時(shí)代最大挑戰(zhàn)。當(dāng)芯片表面溫度達(dá)到70-80℃時(shí)，溫度每增加1℃，芯片可靠性就會(huì)下降10%；設(shè)備故障超過(guò)55%與過(guò)熱直接相關(guān)。金剛石是已知熱導(dǎo)率最高的材料，熱導(dǎo)率達(dá)硅（Si
                      
                        2024-12-13
                        56人閱讀
                        類別：行業(yè)新聞
                      
                    
        
                        
              
        
               
              
        
                
                    
        華為：金剛石半導(dǎo)體散熱獲重要突破進(jìn)展
        
                    
        
                      
        華為：金剛石半導(dǎo)體散熱獲重要突破進(jìn)展
        
                      隨著半導(dǎo)體芯片的系統(tǒng)集成向更高密度、更多功能、更大功率和智能化的方向發(fā)展，芯片內(nèi)部高性能高功率處理區(qū)域中單位面積的發(fā)熱量也不斷增加。通常，將芯片內(nèi)的高性能高功率處理區(qū)域稱為熱點(diǎn)區(qū)域。熱點(diǎn)區(qū)域作為芯片內(nèi)的主要熱源，若熱點(diǎn)區(qū)域的溫度較高，會(huì)導(dǎo)致芯片總體性能較差。金剛石以其低介電常數(shù)、高導(dǎo)熱率以及良好的機(jī)
                      
                        2024-12-13
                        38人閱讀
                        類別：行業(yè)新聞
                      
                    
        
                        
              
        
               
              
        
                
                    
        “終極半導(dǎo)體材料：未來(lái)科技發(fā)展的加速器
        
                    
        
                      
        “終極半導(dǎo)體材料：未來(lái)科技發(fā)展的加速器
        
                      近年來(lái)，在半導(dǎo)體行業(yè)中，金剛石逐漸成為了關(guān)注熱點(diǎn)。為了實(shí)現(xiàn)綠色低碳的目標(biāo)，過(guò)去幾年中，半導(dǎo)體行業(yè)正在不斷追求更高效、更強(qiáng)大的半導(dǎo)體器件。傳統(tǒng)硅材料雖然被廣泛使用，但在效率方面正日益逼近其極限，尤其是在高溫和高壓條件下。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等半導(dǎo)體材料的出現(xiàn)與發(fā)展，讓行業(yè)突破了硅的限制，開發(fā)出
                      
                        2024-11-29
                        32人閱讀
                        類別：行業(yè)新聞
                      
                    
        
                        
              
        
               
              
        
                
                    
        金剛石材料：高效散熱的新選擇
        
                    
        
                      
        金剛石材料：高效散熱的新選擇
        
                      在電子產(chǎn)品日益追求高性能、輕薄化的今天，終端產(chǎn)品對(duì)性能要求的不斷提升，發(fā)熱量和散熱表現(xiàn)已經(jīng)成為半導(dǎo)體設(shè)計(jì)中不可忽視的重要因素。在這一背景下，金剛石材料憑借其卓越的熱導(dǎo)率和物理特性，成為了散熱領(lǐng)域的新寵。傳統(tǒng)散熱材料的局限性傳統(tǒng)的散熱材料，如石墨片、石墨烯等，雖然在一定程度上能夠滿足散熱需求，但隨著電
                      
                        2024-11-15
                        49人閱讀
                        類別：行業(yè)新聞
                      
                    
        
                        
              
        
               
              
        
                
                    
        美國(guó)加速推進(jìn)金剛石半導(dǎo)體研發(fā)以應(yīng)對(duì)全球競(jìng)爭(zhēng)
        
                    
        
                      
        美國(guó)加速推進(jìn)金剛石半導(dǎo)體研發(fā)以應(yīng)對(duì)全球競(jìng)爭(zhēng)
        
                      近年來(lái)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，尤其是圍繞寬帶隙和超寬帶隙半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新，已經(jīng)成為各國(guó)科技戰(zhàn)略的關(guān)鍵焦點(diǎn)。此前我國(guó)對(duì)關(guān)鍵材料進(jìn)行出口管制讓很多國(guó)家開始調(diào)整戰(zhàn)略。據(jù)Tom's hardware報(bào)道，由于中國(guó)在寬帶隙半導(dǎo)體材料—氮化鎵（GaN）供應(yīng)方面的優(yōu)勢(shì)地位，近期又采取了出口管制措施，美國(guó)國(guó)防部高級(jí)研究計(jì)劃
                      
                        2024-11-08
                        46人閱讀
                        類別：行業(yè)新聞
                      
                    
        
                        
              
        
               
              
        
                
                    
        探索半導(dǎo)體新紀(jì)元：大尺寸單晶金剛石襯底技術(shù)的革新之路
        
                    
        
                      
        探索半導(dǎo)體新紀(jì)元：大尺寸單晶金剛石襯底技術(shù)的革新之路
        
                      單晶金剛石，憑借其卓越的物理特性——超寬的禁帶寬度、低介電常數(shù)、高擊穿電壓、杰出的熱導(dǎo)率、優(yōu)異的本征電子和空穴遷移率，以及無(wú)與倫比的抗輻射性能，被譽(yù)為半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的“終極之選”。然而，盡管潛力巨大，單晶金剛石在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的大規(guī)模應(yīng)用之路仍布滿荊棘，尤其是大尺寸（英寸級(jí)）單晶金剛石襯底的制備技術(shù)，成
                      
                        2024-11-05
                        141人閱讀
                        類別：行業(yè)新聞
                      
                    
        
                        
              
        
              
          
        
          
          
        共66條 當(dāng)前7/11頁(yè)首頁(yè)前一頁(yè)···56789···后一頁(yè)尾頁(yè) 
        
        
        
    
        
  
        

        
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